高频变压器设计时选择磁芯的两种方法
Two Method for Select Core in Design of High Freguency Transformers 在高频变压器设计时,首先遇到的问题,便是选择能够满足设计要求和使用要求的磁芯。 通常可以采取下面介绍的两种方法:面积乘积法和几何尺寸参数法。这两种方法的区别在于:面积乘积法是把导线的电流密度
高频变压器设计时选择磁芯的两种方法 Two Method for Select Core in Design of High Freguency Transformers 在高频变压器设计时,首先遇到的问题,便是选择能够满足设计要求和使用要求的磁芯。 通常可以采取下面介绍的两种方法:面积乘积法和几何尺寸参数法。这两种方法的区别在于:面积乘积法是把导线的电流密度作为设计参数,几何尺寸参数法则是把绕组线圈的损耗,即铜损作为设计参数。1 面积乘积法 这里讲的面积乘积。是指磁芯的可绕线的窗口面积和磁芯的截面积,这两个面积的乘积。高频变压器磁芯 骨架工厂 13712868548 东莞金算盘下载有限公司 高频骨架 电木骨架 贴片骨架 多槽骨架 表示形式为WaAe,有些讲义和书本上简写为Ap,单位为 。 根据法拉第定律,我们有: 窗口面积利用情况有: KWα=NAw 变压器有初级、次级两个绕组。因此有: KWα=2NAw 或 0.5KWα=NAw 我们知道: Aw= 而电流有效值 I=Ip 得到以下关系式: 0.5KWα= 即: 于是就有如下式: 由于:EδIp=Pi 又有: Pi= 最后得到如下公式: 这个公式适用于单端变压器,如正激式和反激式。 δ<0.5,Bm-T,K-0.3~0.4,η-0.8~0.9,J-A/。推挽式的公式则为: 半桥式的公式则为: 这里的δ>0.5,例如0.8~0.9。 单端变压器如正激式和反激式:Bm=△B=Bs-Br。 双端变压器如推挽式、半桥式和桥式:Bm=2Bpk。全桥式公式与推挽式相同,但δ>0.5,例如0.8~0.9。在J=400A/,K=0.4,η=0.8,δ=0.4(单端变压器),δ=0.8(双端变压器)。公式简化如下: (单端变压器) (推挽式) (半桥式和桥式)2 几何尺寸参数法 这个方法是把绕组线圈的损耗,即铜损作为设计参数。因此,公式正是由计算绕组线圈的铜损的公式演变而来的。 。变压器有两个绕组这里为初级绕组电阻, 为次级绕组电阻。 由于 因此 每个绕组各占一半窗口面积,全部绕组线圈的铜损的公式: 公式简化: 变换两个参数的位置,公式变成: 初级安匝与次级安匝相等的关系,以及电流有效值同峰值的关系。 上式进一步演化成: 同理(见面积乘积法)有: 将两个式子代入,得出公式: 与面积乘积法的形式相一致,公式成为如下形式: 此公式适合各种电路形式。Bm取值同面积乘积法。3 实际举例 单端反激式电路。输出功率Po=34W,输入最小直流电压Vi(min)=230V,输入电流峰值1.18A,占空比=0.25,频率f=68kHz,t=14.7μs,初级电感L p=716μH,变压器效率η=0.8,电流密度J=400A/cm,Bm=0.11T,K=0.4,Pcu=0.34W。 如采用简化公式,要将99改为78。因为原公式中δ=0.4,现在δ=0.25,所以有: 两者结果基本一致。 EI33磁芯的WaAe=1.47,Kg=0.1358。由此可见,两种方法的结果,选EI33磁芯较合适。EI33磁芯的Wa=1.24,Ae=1.185。下面核算一下,几个绕组是否绕得下。 初级绕组Ip=1.18A,Irms=1.18×=0.59A。Aw=0.59/4=0.1475。采用Aw=0.159的导线,其最大直径为0.51mm=0.051cm。占有窗口面积为Wa=65×=0.1691。 反馈绕组Ip=1A,Irms=1×=0.5A。Aw=0.5/4=0.125。采用Aw=0.1257的导线,其最大值径为0.46mm=0.046cm。占有窗口面积为Wa=15×=0.0317。 次级绕组Io=2A,Irms=Io=2A。Aw=2/4=0.5。双股并绕采用Aw=0.2463的导线,其最大直径为0.63mm=0.063cm。两个绕组占有窗口面积为Wa=(11+5)×(2×0.063)2=0.254。 全部绕组占有窗口面积为。占总窗口面积1.24的 36.7%。 EI33磁芯的骨架,窗口高度16mm,宽度5.3mm。16mm高度要扣除两端各1.5mm,尚剩下13mm长度。 初级绕组的导线最大直径为0.51mm,每层可绕13 /0.51=25.5匝,65匝要用3层。 反馈绕组的导线最大直径为0.46mm,每层可绕13/0.46=28匝,15匝只要用1层。 次级绕组的导线最大直径为0.63mm,每层可绕13/ 0.63=20匝,每层绕11+5匝要用2层。绕组排列下图: 初级绕组分成3组绕,各组分别为22、22、21匝。每层厚度0.51mm。 次级绕组分成2组绕,每组均为11+5匝。每层厚度0.63mm。 反馈绕组只用1层,15匝,层厚度0.46mm。 绝缘胶带厚度为0.15mm,共7层。 绕组总厚度-1+0.51+0.63+0.51+0.63+0.51+0.46+0.15×7=5.3mm 现在核算铜损耗情况。采用同一的平均匝长,等于7.2cm。 Aw=0.159、0.1257的导线,单位长度的电阻值分别为0.115Ω/cm和0.1463Ω/cm。而Aw=0.2467的导线,单位长度的电阻值为0.0736Ω/cm,由于采用双线并绕,在计算时减半。 Pcu=0.1872+0.0395+0.1166+0.053=0.3693W 以下两种方法,有效电流取值和绕组电阻计算,不尽相同。因此,计算结果也是不一样。分别介绍如下《电子变压器手册》(P.394~P.397):这里将输出直流电流Io视同峰值电流,因此,其有效值计算结果为: 次级绕组:Ip=Io=2A,Irms=2×√(1-0.25)=1.732A。 反馈绕组:Ip=If=1A,Irms=1×√(1-0.25)=0.886A。 初级绕组的峰值电流,由次级绕组和反馈绕组的峰值电流反馈到初级而求得。而上一方法的初级绕组的峰值电流=2×Po/Vi×δ=(2×34)/(230×0.25)=1.18A。 计算公式结果如下: 其有效值计算结果为: Irms=0.239×√0.25=0.12A。 绕组电阻值的确定,主要区别在于平均匝长的取值上。它采用分段取值的方法。 由于取值变化,导线重要新选择。 68KHz时,导线的穿透深度为:△=7.6/√(68×)=0.0291cm=0.291mm。 选择导线直径要小于两倍穿透深度,即〈0.291×2=0.582mm。初级绕组: Irms=0.12A。Aw=0.12/4=0.03142。 采用Aw=0.03142的导线,其最大直径为0.24mm=0.024cm。占有窗口面积为Wa=65×=0.0374。次级绕组: Irms=1.732A。Aw=1.732/4=0.433。四股并绕采用Aw=0.1257的导线,其最大直径为0.46mm=0.046cm。两个绕组占有窗口面积为Wa=(11+5)×=0.5417。反馈绕组: Irms=0.866A。Aw=0.866/4=0.2165。双股并绕采用Aw=0.1257的导线,其最大直径为0.46mm=0.046cm。占有窗口面积为Wa=15×=0.127。全部绕组占有窗口面积为Wa=0.0374+0.5417+0.127=0.7061。占总窗口面积1.24的56.9%。 下面我们同样来安排一下绕组位置,并计算各个绕组的厚度,在此基础上计算出每个绕组的平均匝长。 EI33磁芯的骨架,窗口高度16mm,宽度5.3mm。16mm高度要扣除两端各1.5mm,尚剩下13mm长度。 初级绕组的导线最大直径为0.24mm,每层可绕13/0.24=54匝,65匝要用2层。反馈绕组的导线最大直径为0.46mm,每层可绕13/0.46=28匝,15×2=30匝,要用2层。 次级绕组的导线最大直径为0.46cm,每层可绕13/0.46=28匝,Ns1为5×4=20匝,要用1层。Ns2为11×4=44匝,要用2层。 绕组排列如下图: 绕组总厚度=1+0.24×2+0.46×5+0.15×6=3.68mm 下面我们进行各个绕组的平均匝长的计算。因为,EI33磁芯的中心柱等于10mm×13mm。因此,各个绕组的平均匝长为:Np1匝长=2×(10+13)+4×(1+0.15+0.12)=51.08mmNs1匝长2×(10+13)+4×(1+0.15×2+0. 24+0.23) =53.08mmNp2匝长=2×(10+13)+4×(1+0.15×3+0.24+0.46+0.12 =55.08mm)Np2匝长=2×(10+13)+4×(1+0.15×4+0.24×2+0.46×2) =58.0mm)Nf匝长=2×(10+13)+4×(1+0.15×5+0.24×2+0.46×4) =62.28mm)《电子变压器手册》求绕组电阻,不是根据导线表上的单位长度电阻值取得的。应用如下公式计算而得: Rrz绕组电阻,N匝数,1平均匝长,Aw导线载面积。q调整系数RNp1=0.0172××1.1965×(51.08×35/0.03142)=1.171ΩRNs1=0.0172××1.1965×(53.08×5/(0.1257×4))=0.0109ΩRNp2=0.0172××1.1965×(55.08×30/0.03142)=1.0823ΩRNs2=0.0172××1.1965×(58×11/(0.1257×4))=0.0261ΩRNf=0.0172××1.1965×(62.28×15/(0.01257×2))=0.0765Ω现在开始计算铜损耗:PNp=(1.71+1.0823)×0.122=0.0402WPNs1=0.0109×=0.0327WPNs2=0.0261×=0.0783WPNf=0.0765×=0.0574WPt=0.0402+0.0327+0.0783+0.0574=0.2086W≈0.21W0.21W为0.34W的61.76%。 现在采用(电子变压器设计技术培训班)的《培训教材》第101~102页的方法。这里的要点是,要计算各个绕组的直流、交流有效值和电阻值,再分别取得直流、交流损耗,两者相加得总的损耗。 而计算有效值的次级为中值乘以√(1-δ),初级为中值乘以√δ。输出值要换算为中值后,再求得有效值。 次级绕组Io=2A,Ia=2/(1-0.25)=2.67A。Irms=Ia×√(1-0.25)=2.67×√(1-0.25)=2.31A。反馈绕组If=1A,Ia=1/(1-0.25)=1.33A,Irms=a×√(1-0.25)=1.33×√(1-0.25)=1.15A。 初级绕组的峰值电流,由次级绕组和反馈绕组的峰值电流反馈到初级而求得。 计算公式和结果如下: 有效值:Irms=Ip√0.25=0.9641×√0.25=0.48A。 初级绕组: Irms=0.48A。 Aw=0.48/4=0.12。 采用Aw=0.1257的导线,其最大直径为0.46mm=0.046cm。 占有窗口面积为Wa=65×0.0462=0.1375。次级绕组: Irms=2.31A。 Aw=2.31/4=0.5775。 四股并绕采用Aw=0.159的导线,其最大直径为0.51mm=0.051cm。两个绕组占有窗口面积为Wa=(11+5)×=0.6659。反馈绕组: Irms=1.15A。 Aw=1.15/4=0.2875。 双股并绕采用Aw=0.159的导线,其最大直径为0.51mm=0.051cm。占有窗口面积为Wa=15×(=0.1561。 全部绕组占有窗口面积为Wa=0.1375+0.6659+0.1561=0.9595。占总窗口面积1.24的77.4%。 下面我们同样来安排一下绕组位置,并计算各个绕组的厚度,在此基础上计算出每个绕组的平均匝长。 初级绕组的导线最大直径为0.46mm,每层可绕13/0.46=28匝,65/28=2.3,要用3层。 次级绕组的导线最大直径为0.51mm,每层可绕13/0.51=25匝,Ns1为5×4=20匝,要用1层。Ns2为11×4=44匝,要用2层。 反馈绕组的导线最大直径为0.46mm,每层可绕13/0.46=28匝,15×2=30匝,要用2层。 绕组排列如下图: 绕组总厚度=1+0.46×3+0.51×5+0.15×7=4.98mm求平均匝长:Np1=2×(10+13)×4×(1+0.15+0.23)=51.052mmNs1=2×(10+13)×4×(1+0.15×2+0.46+0.255)=54.06mmNp2=2×(10+13)×4×(1+0.15×3+0.46+0.51+0.23)=56.6mmNs2=2×(10+13)×4×(1+0.15×4+0.46×2+0.51×2)=60.16mmNp3=2×(10+13)×4×(1+0.15×5+0.46×2+0.51×3+0.23)=63.72mmNf=2×(10+13)×4×(1+0.15×6+0.46×3+0.51×4)=67.28mm现在开始计算绕组电阻和铜损耗:计算绕组电阻,先利用公式计算直流电阻:Rdc=ρ1/Aw。ρ=2.3×。这里的1为匝长(mm)与匝数的乘积。Rdc(Np1)=2.3××(51.52×22/0.1257)=0.207ΩRdc(Ns1)=2.3××(54.06×5/(0.159×4))=0.00977ΩRdc(Np2)=2.3××(56.6×22/0.1257)=0.228ΩRdc(Ns2)=2.3××(60.16×11/(0.159×4))=0.0238ΩRdc(Np3)=2.3××(63.72×21/0.1257)=0.245ΩRdc(Nf)=2.3××(67.28×15/(0.159×2))=0.073Ω现在开始计算交流电阻:Np1层厚=0.83d√d/s=0.83×0.40√(0.40/0.46)=0.3096(d为导线裸线直径mm,s为导线的最大直径mm。)Q=0.3096/0.291=1.06。 Fr=Rac/Rdc=1.1。Rac(Np1)=1.1×Rdc(Np1)=1.1×0.207=0.228ΩNs1层厚=0.83d√ d/s=0.83×0.405√ (0.45/0.51)=0.3508(d为导线裸线直径mm,s为导线的最大直径mm。)Q=0.3508/0.291=1.2。 Fr=Rac/Rdc=1.2。Rac(Ns1)=1.2×Rdc(Ns1)=1.2×0.00977=0.012ΩNp2层厚同Np1。 Fr=Rac/Rdc=1.1。Rac(Np2)=1.1×Rdc(Np2)=1.1×Rdc(Np2)Ns2层厚同Ns1。Q=1.2。因是二层Fr=Rac/Rdc=1.7。Rac(Ns2)=1.7×Rdc(Ns2)=1.7×0.0238=0.04ΩNp3层厚同Np1。Fr=Rac/Rdc=1.1。Rac(Np3)=1.1×Rdc(Np3)=1.1×0.245=0.27ΩNf层厚同Ns2。也是二层Fr=Rac/Rdc=1.7。Rac(Nf)=1.7×Rdc(Nf)=1.7×0.073=0.124Ω现在计算直流和交流损耗,以及全部铜损;PNp(dc)=(0.207+0.228+0.245)×=0.157WPNp(ac)=(0.228+0.251+0.27)×=0.172WPNs1(dc)=0.00977×=0.052WPNs1(ac)=0.012×=0.064WPNs2(dc)=0.0238×=0.127WPNs2(ac)=0.004×=0.213WPNf(dc)=0.0073×=0.097WPNf(ac)=0.0124×=0.164WPt(dc)=0.157+0.052+0.127+0.097=0.433WPt(ac)=0.172+0.064+0.213+0.164=0.613WPt=0.433+0.613=1.46≈1.1W >0.34W。 以上三种方法,各有特点,实际上,选哪一种都满足实际应用。主要看你的设计和使用,强调哪个方面的要求了。如:损耗、尺寸或者功率等。
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